案例 1：HVSMU 高压模块被测器件反向击穿倒灌，模块自诊断报错
故障设备：Keysight B1506A‑H71，功率 IGBT 器件研发测试工位。
故障背景：测试过程 DUT 击穿，之后开机 7 号槽 HVSMU 模块自检报错；其余 MPSMU/MCSMU 全部模块识别正常，高压输出完全禁止，低压通道工作正常。
排查过程：模块交叉移植至其他 B1506A 主机，故障现象复现，确认模块本体损坏；拆机检测 HVSMU 前端保护器件、采样 ADC 被反向高压击穿，模块电源部分完好。
维修处理：更换 HVSMU 损坏前端保护组件与 ADC 器件；执行高压电压、电流全套模块校准；校验 3kV 高压档位安全保护。修复完成，模块自检全部 Pass，击穿电压、高压 IV 测试指标恢复出厂规格。
维修总结：功率器件测试，DUT 击穿会产生高压倒灌；测试回路建议增加保护限制，器件击穿后务必断电充分放电再取下。
案例 2：夹具互锁回路断线，Interlock Error 报错，高压输出锁死
故障设备：Keysight B1506A‑H51，实验室多人共用仪器。
故障背景：开机低压 SMU 全部正常；软件持续报 Interlock Error，HVSMU 高压输出被禁止；夹具告警红灯点亮。
排查过程：IV 低压测量功能全部可用；排查夹具安全门开关、互锁线缆，发现夹具内部互锁信号线磨损断线；主机与 SMU 模块硬件无损坏。
维修处理：修复夹具互锁回路接线，校验安全门开关动作；整机互锁回路校验。维修完成，互锁报错消除，3kV 高压可以正常使能输出，安全保护功能正常。
维修总结：出现互锁报错优先排查夹具、外部安全回路，不一定是主机测量模块损坏。
案例 3：夹具内部切换继电器老化，IV 测试重复性差，Rds (on) 读数漂移
故障设备：Keysight B1506A‑H21，MOSFET 批量测试工位，长期脉冲大电流测试。
故障背景：硬件全部模块自检 Pass；测试标准参考电阻，导通电阻读数跳动、重复性很差；更换 DUT 插座适配器、测试线缆故障不变。
排查过程：主机各个 SMU 模块单独校验指标正常；拆解测试夹具，IV/CV 切换继电器触点氧化，接触电阻不稳定；主机测量模块完好。
维修处理：更换夹具内部故障切换继电器；完成夹具系统补偿校准，校验 Force‑Sense 四线取样回路。修复完成，标准器件 IV、Rds (on) 测试重复性恢复，量程切换正常。
维修总结：大电流脉冲测试，夹具内部继电器属于消耗件，长期使用会出现触点劣化。
案例 4：MFCMU 电容单元及配套电缆损伤，CV、栅电荷 Qg 测试失效
故障设备：Keysight B1506A‑H71，功率器件电容表征测试。
故障背景：全部 IV 电压电流测试正常；Ciss/Coss/Crss 电容测试读数异常，栅电荷 Qg 测试直接报错。
排查过程：各个 SMU 源测单元自检全部正常；排查 N1300A 系统同轴电缆，电缆内部信号回路受损；更换完好电缆之后故障部分改善，确认 MFCMU 模块存在前端电路漂移。
维修处理：更换受损 N1300A 系统电缆；维修 MFCMU 模块信号调理电路；执行 CV 补偿、栅电荷系统校准。修复完成，三端电容、Qg 栅电荷测试功能恢复正常。
维修总结：MFCMU 同轴信号电缆属于精密部件，拆装夹具避免拉扯弯折电缆。
